Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/15462
Title: | Газова чутливість GaAs p-n переходів з модифікованою поверхнею |
Other Titles: | Gas sensitivity of the GaAs p-n junctions with modified surface |
Authors: | Гуржій, Тетяна Володимирівна |
Citation: | Гуржій, Т. В. Газова чутливість GaAs p-n переходів з модифікованою поверхнею = Gas sensitivity of the GaAs p-n junctions with modified surface : дипломна робота / Т. В. Гуржій ; наук. кер. Н. В. Маслєєва ; ОНУ ім. І.І. Мечникова, Фіз. ф-т, Каф. фізики твердого тіла і твердотільної електроніки . – Одеса, 2017 . – 44 с. |
Issue Date: | 2017 |
Publisher: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова |
Keywords: | 6.040203 Фізика сульфідна обробка арсенід галію халькогенідна обробка діоди |
Abstract: | Напівпровідникові газові сенсори мають широке застосування у сучасному народному господарстві для контролю забруднення навколишнього середовища. Для ефективної роботи більшість з сенсорів потребує додаткового підігріву. їхня чутливість та селективність не повністю відповідають сучасним вимогам. Створення нових газових сенсорів та вдосконалення наявних є важливими задачами сучасної техніки. Метою даної роботи є проведення досліджень впливу сульфідної обробки на газову чутливість /?-н-переходів на основі GaAs. Для виконання поставленої мети проводилися вимірювання вольт-амперних характеристик прямого та зворотного струмів у повітрі та в парах аміаку з різним парціальним тиском до та після сульфідної обробки поверхні. Аналізувалися залежності додаткових прямих та зворотних струмів, які з ’являються в парах аміаку, від парціального тиску парів, величини газової чутливості до та після сульфідної обробки |
URI: | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/15462 |
Appears in Collections: | Факультет математики, фізики та інформаційних технологій |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
6.040203_Gurgiy_Tetaiana_Volodumirovna1.pdf | 121.74 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.