Влияние окружающей атмосферы на поверхностный ток в P-N гетероструктурах на основе GaAs-AlGaAs
Дата
2000
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Проведено вимірювання вольт-амперних характеристик подвійних гетероструктур
(ПГС) на основі AlGaAs-GaAs при температурах 80 - 300 К. Досліджено вплив парів води,
етилену, ацетону та а.міаку на поверхневий струм ПГС. Показано, що поверхневий струм в
ПГС обумовлений тунельним захопленням носіїв заряду. Пари води, етилену і ацетону не
змінюють поверхневий струм ПГС, в той час як аміак значно збільшує його. Час спрацьовування
ПГС як сенсорів аміаку т<100с при кімнатній температурі.
Проведены измерения вольг-амперных характеристик двойных гетероструктур (ДГС) на основе AIGaAs-GaAs при температурах 80 - ЗООК. Исследовано влияние паров воды, этилена, ацетона и аммиака на поверхностный ток ДГС. Показано, что поверхностный ток в Д1'С обусловлен туннельным захватом носителей заряда. Пары воды, этилена и ацетона не изменяют поверхностный ток ДГС, в то время как аммиак сильно его увеличивает. Время срабатывания ДГС как сенсоров аммиака т<100с при комнатной температуре.
Currcnl - voltage curves of AIGaAs-GaAs double heterostructures (DHS) were measured at temperatures of 80 - BOOK. The influence of vapors of water, ethylene, acetone, and ammonia on the surface current of DHS was investigated. It is shown that the surface current in DHS is due to the tunnel capture of charge carriers. The vapors of water, ethylene, and acetone do not change the surface current of DHS, while ammonia drastically enhances it. The response time of DHS as a sensor of ammonia is t<IOOs at room temperature.
Проведены измерения вольг-амперных характеристик двойных гетероструктур (ДГС) на основе AIGaAs-GaAs при температурах 80 - ЗООК. Исследовано влияние паров воды, этилена, ацетона и аммиака на поверхностный ток ДГС. Показано, что поверхностный ток в Д1'С обусловлен туннельным захватом носителей заряда. Пары воды, этилена и ацетона не изменяют поверхностный ток ДГС, в то время как аммиак сильно его увеличивает. Время срабатывания ДГС как сенсоров аммиака т<100с при комнатной температуре.
Currcnl - voltage curves of AIGaAs-GaAs double heterostructures (DHS) were measured at temperatures of 80 - BOOK. The influence of vapors of water, ethylene, acetone, and ammonia on the surface current of DHS was investigated. It is shown that the surface current in DHS is due to the tunnel capture of charge carriers. The vapors of water, ethylene, and acetone do not change the surface current of DHS, while ammonia drastically enhances it. The response time of DHS as a sensor of ammonia is t<IOOs at room temperature.
Опис
Ключові слова
Влияние окружающей атмосферы на поверхностный ток, Гетероструктуры
Бібліографічний опис
Вісник Одеського національного університету = Odesa National University Herald