The study of heterogeneous sensitized crystals of cadmium sulfide. Part I. About charge of the centers recombination
Вантажиться...
Дата
2017
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The photovoltaic properties of CdS crystals with combined alloying have been investigated. An analytical expression for the dependence of the coefficient of damping of the intensities of exciting and quenching light has been received. For the first time the concentration of fast recombination centers has been estimated. The charge state of S - and R- centersis expected. The exclusive method of decision of the system of equalizations is thus created. Modulation of LAC is shown by IR light.
Досліджені фотоелектричні властивості кристалів CdS з комбінованим легуванням. Отримано аналітичний вираз для залежності коєфіціента гасіння от інтенсивностей збуджующего і гасящего світла. Вперше оцінена концентрація центрів швидкої рекомбінації. Розрахован зарядовий стан S- і R-центрів. При цьому створено ексклюзивний метод вирішення системи рівнянь. Продемонстрована модуляція ЛАХ інфрачервоним світлом.
Исследованы фотоэлектрические свойства кристаллов CdS с комбинированным легированием. Получено аналитическое выражение для зависимости коэффициента гашения от интенсивностей возбуждающего и гасящего света. Впервые оценена концентрация центров быстрой рекомбинации. Рассчитано зарядовое состояние S- и R-центров. При этом создан эксклюзивный метод решения системы уравнений. Продемонстрирована модуляция ЛАХ инфракрасным светом.
Досліджені фотоелектричні властивості кристалів CdS з комбінованим легуванням. Отримано аналітичний вираз для залежності коєфіціента гасіння от інтенсивностей збуджующего і гасящего світла. Вперше оцінена концентрація центрів швидкої рекомбінації. Розрахован зарядовий стан S- і R-центрів. При цьому створено ексклюзивний метод вирішення системи рівнянь. Продемонстрована модуляція ЛАХ інфрачервоним світлом.
Исследованы фотоэлектрические свойства кристаллов CdS с комбинированным легированием. Получено аналитическое выражение для зависимости коэффициента гашения от интенсивностей возбуждающего и гасящего света. Впервые оценена концентрация центров быстрой рекомбинации. Рассчитано зарядовое состояние S- и R-центров. При этом создан эксклюзивный метод решения системы уравнений. Продемонстрирована модуляция ЛАХ инфракрасным светом.
Опис
Ключові слова
coefficient of damping, CdS, IR light, коєфіціент гасіння, коєфіціент гасіння, інфрачервоне світло, коэффициент гашения, сульфид кадмия, инфракрасный свет
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics