The humidity and structuring additives influence on electrophysical characteristics of tin dioxide films
Вантажиться...
Файли
Дата
2017
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
The structuring additive concentration and humidity influence on the electrophysical properties of tin dioxide films was studied. The growth of SnО2 films interelectrode resistance with the growth of polyvinyl acetate concentration in the initial solution is due to the porosity increase caused by the PVA increase in the films under study. The section of dark current temperature dependence, in vacuum from 110 °C with an activation energy ~ 0.7 eV, is due to the water molecules desorption. The resistance decrease of tin dioxide films in a wet atmosphere due to the dissociative adsorption of water molecules on the SnO2 layers surfaces has been established.
Исследовано влияние концентрации структурирующей добавки и влажности на электрофизические свойства пленок диоксида олова. Возрастание межэлектродного сопротивления пленок SnO2 при увеличении концентрации поливинилацетата в исходном растворе обусловлено увеличением пористости исследуемых пленок с ростом количества ПВА. Участок ТЗТТ, в вакууме от 110 оС с энергией активации ~ 0,7 эВ обусловлен десорбцией молекул воды. Установлено снижение сопротивления пленок диоксида олова во влажной атмосфере, обусловленное диссоциативной адсорбцией молекул воды на поверхности слоев SnO2.
Досліджено вплив концентрації структуруючої добавки і вологості на електрофізичні властивості плівок діоксиду олова. Зростання межелектродного опору плівок SnO2 при збільшенні концентрації полівінілацетату в вихідному розчині обумовлено збільшенням пористості досліджуваних плівок із зростанням кількості ПВА. Ділянка ТЗТТ в вакуумі від 110 оС з енергією активації ~ 0,7 еВ обумовлена десорбцією молекул води. Встановлено зниження опору плівок діоксиду олова у вологій атмосфері, обумовлене дисоциативною адсорбцією молекул води на поверхні шарів SnO2.
Исследовано влияние концентрации структурирующей добавки и влажности на электрофизические свойства пленок диоксида олова. Возрастание межэлектродного сопротивления пленок SnO2 при увеличении концентрации поливинилацетата в исходном растворе обусловлено увеличением пористости исследуемых пленок с ростом количества ПВА. Участок ТЗТТ, в вакууме от 110 оС с энергией активации ~ 0,7 эВ обусловлен десорбцией молекул воды. Установлено снижение сопротивления пленок диоксида олова во влажной атмосфере, обусловленное диссоциативной адсорбцией молекул воды на поверхности слоев SnO2.
Досліджено вплив концентрації структуруючої добавки і вологості на електрофізичні властивості плівок діоксиду олова. Зростання межелектродного опору плівок SnO2 при збільшенні концентрації полівінілацетату в вихідному розчині обумовлено збільшенням пористості досліджуваних плівок із зростанням кількості ПВА. Ділянка ТЗТТ в вакуумі від 110 оС з енергією активації ~ 0,7 еВ обумовлена десорбцією молекул води. Встановлено зниження опору плівок діоксиду олова у вологій атмосфері, обумовлене дисоциативною адсорбцією молекул води на поверхні шарів SnO2.
Опис
Ключові слова
tin dioxide, thin films, humidity, диоксид олова, тонкие пленки, влажность, діоксид олова, тонкі плівки, вологість
Бібліографічний опис
Фотоэлектроника = Photoelectronics