Вплип рівня легування кремнієвих p-n переходів на іхні характеристики як сенсорів парів аміаку
Вантажиться...
Файли
Дата
2016
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
Дослідженно вплив рівня легування на поверхневий струм кремнієвих p-n переходів, обумовленний адсорбцією види та аміаку. Вимірювання провеено на плавних p-n переходах з градієнтом концентрації домішок від am=1*1021см-4 до am=5*102см-4. Проведено чисельні двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p-n переходах при адсорбції молекул донорного газу.
Опис
Ключові слова
рівень легування, поверхневий струм кремнієвих p-n переходів, пари аміаку
Бібліографічний опис
7-ма Міжнародна наукова-технічна конференція «Сенсорна електроніка та мікросистемні технології» (СЕМСТ-7) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), (Україна, Одеса, 30 трав. – 3 черв. 2016 р.) : тези доп. / МОН України, Від-ня фізики і астрономії НАН України, Наук. рада з проблем «Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої» НАН України, Укр. фіз. т-во, Акад. наук вищої школи України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова, Міжвідомчий наук.-навч. й фіз.-тех. центр МОН і НАН України. – Одеса : Астропринт, 2016.