Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/11215
Title: Вплип рівня легування кремнієвих p-n переходів на іхні характеристики як сенсорів парів аміаку
Authors: Птащенко, Олександр Олександрович
Птащенко, Ф. О.
Гільмутдінова, В. Р.
Кирничук, О. С.
Птащенко, Александр Александрович
Ptashchenko, Oleksandr O.
Citation: 7-ма Міжнародна наукова-технічна конференція «Сенсорна електроніка та мікросистемні технології» (СЕМСТ-7) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), (Україна, Одеса, 30 трав. – 3 черв. 2016 р.) : тези доп. / МОН України, Від-ня фізики і астрономії НАН України, Наук. рада з проблем «Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої» НАН України, Укр. фіз. т-во, Акад. наук вищої школи України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова, Міжвідомчий наук.-навч. й фіз.-тех. центр МОН і НАН України. – Одеса : Астропринт, 2016.
Issue Date: 2016
Publisher: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Keywords: рівень легування
поверхневий струм кремнієвих p-n переходів
пари аміаку
Abstract: Дослідженно вплив рівня легування на поверхневий струм кремнієвих p-n переходів, обумовленний адсорбцією види та аміаку. Вимірювання провеено на плавних p-n переходах з градієнтом концентрації домішок від am=1*1021см-4 до am=5*102см-4. Проведено чисельні двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p-n переходах при адсорбції молекул донорного газу.
URI: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/11215
Appears in Collections:Статті та доповіді ФМФІТ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
62.pdf111.23 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.