Вплив обробки в рзчині Na2S на поверхневий струм в P-N переходах на оcнові GaAs
Вантажиться...
Файли
Дата
2016
Науковий керівник
Укладач
Редактор
Назва журналу
Номер ISSN
Номер E-ISSN
Назва тому
Видавець
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Анотація
P-n переходи на основі GaAs перспективних для розробки хімічних сенсорів,оскільки вони мають суттєво нижчий поріг чутливості до парів NH3, ніж кремнієві p-n переходи, мембрани на основі поризтого кремнію та кремнієвих нанодротів. Легування атомами сірки із водного розчину Na2S підвищує поверхневий струм у p-n переходах на основі GaAs, обумовлений абсорцією парів NH3 та води. метою данної роботи було встановлення механізму вказанного ефекту та оптимізація параметрів газового сенсора.
Опис
Ключові слова
розчин Na2S, P-N переходи на оcнові GaAs, GaAs
Бібліографічний опис
7-ма Міжнародна наукова-технічна конференція «Сенсорна електроніка та мікросистемні технології» (СЕМСТ-7) (з виставкою розробок та промислових зразків сенсорів), (Україна, Одеса, 30 трав. – 3 черв. 2016 р.) : тези доп. / МОН України, Від-ня фізики і астрономії НАН України, Наук. рада з проблем «Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої» НАН України, Укр. фіз. т-во, Акад. наук вищої школи України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Одес. нац. ун-т ім. І. І. Мечникова, Міжвідомчий наук.-навч. й фіз.-тех. центр МОН і НАН України. – Одеса : Астропринт, 2016.