Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/11136
Назва: | Акустостимульована “квазікавітація” вакансійних дефектів у напівпровідниках при їх високоенергетичному опроміненні |
Інші назви: | Acoustostimulated "quasi-cavitation" of vacancy defects in semiconductors at their high-energetic irradiation Акустостимулировання “квазикавитация” вакансионных дефектів в полупроодниках при их високоэнергетическом облучении |
Автори: | Лепіх, Ярослав Ілліч Оліх, Я. М. Lepikh, Yaroslav I. Olikh, Ya. M. Лепих, Ярослав Ильич Олих, Я. М. |
Бібліографічний опис: | Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies |
Дата публікації: | 2017 |
Видавництво: | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова |
Ключові слова: | іонна імплантація акустичні хвилі «квазікавітація» напівпровідники дефектно-домішкові структури ionic implantation acoustic waves "quasi-cavitation" semiconductors defective - impurity structures ионная имплантация акустические волны «квазикавитация» полупроводники дефектно-примесные структуры |
Серія/номер: | ;Т. 14, № 2. |
Короткий огляд (реферат): | Стаття присвячена дослідженню фізичних процесів у напівпровідникових структурах під дією високоенергетичного опромінення при імплантації іонів Ar+, N+ і O+ і при одночасному опроміненні акустичними хвилями. Виявлено ряд ефектів обумовлених стимуляцією акустичним полем. The article is devoted to the investigation of physical processes in semiconductor structures under the action of high-energy irradiation at Ar +, N + and O + ions implantation and at simultaneous acoustic waves irradiation. A number of effects caused by an acoustic field stimulation has been revealed. Статья посвящена исследованию физических процессов в полупроводниковых структурах под действием высокоэнергетического облучения при имплантации ионов Ar+, N+ и O+ и при одновременном облучении акустическими волнами. Выявлен ряд эффектов обусловленных стимуляцией акустическим полем. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/11136 |
Розташовується у зібраннях: | Сенсорна електроніка і мікросистемні технології |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
46-54.pdf | 526.09 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.