Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/11136
Назва: Акустостимульована “квазікавітація” вакансійних дефектів у напівпровідниках при їх високоенергетичному опроміненні
Інші назви: Acoustostimulated "quasi-cavitation" of vacancy defects in semiconductors at their high-energetic irradiation
Акустостимулировання “квазикавитация” вакансионных дефектів в полупроодниках при их високоэнергетическом облучении
Автори: Лепіх, Ярослав Ілліч
Оліх, Я. М.
Lepikh, Yaroslav I.
Olikh, Ya. M.
Лепих, Ярослав Ильич
Олих, Я. М.
Бібліографічний опис: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Дата публікації: 2017
Видавництво: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Ключові слова: іонна імплантація
акустичні хвилі
«квазікавітація»
напівпровідники
дефектно-домішкові структури
ionic implantation
acoustic waves
"quasi-cavitation"
semiconductors
defective - impurity structures
ионная имплантация
акустические волны
«квазикавитация»
полупроводники
дефектно-примесные структуры
Серія/номер: ;Т. 14, № 2.
Короткий огляд (реферат): Стаття присвячена дослідженню фізичних процесів у напівпровідникових структурах під дією високоенергетичного опромінення при імплантації іонів Ar+, N+ і O+ і при одночасному опроміненні акустичними хвилями. Виявлено ряд ефектів обумовлених стимуляцією акустичним полем.
The article is devoted to the investigation of physical processes in semiconductor structures under the action of high-energy irradiation at Ar +, N + and O + ions implantation and at simultaneous acoustic waves irradiation. A number of effects caused by an acoustic field stimulation has been revealed.
Статья посвящена исследованию физических процессов в полупроводниковых структурах под действием высокоэнергетического облучения при имплантации ионов Ar+, N+ и O+ и при одновременном облучении акустическими волнами. Выявлен ряд эффектов обусловленных стимуляцией акустическим полем.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/11136
Розташовується у зібраннях:Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
46-54.pdf526.09 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.