DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >
Фізичний факультет >
"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології" >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/11136

Название: Акустостимульована “квазікавітація” вакансійних дефектів у напівпровідниках при їх високоенергетичному опроміненні
Другие названия: Acoustostimulated "quasi-cavitation" of vacancy defects in semiconductors at their high-energetic irradiation
Акустостимулировання “квазикавитация” вакансионных дефектів в полупроодниках при их високоэнергетическом облучении
Авторы: Лепіх, Ярослав Ілліч
Оліх, Я. М.
Lepikh, Yaroslav I.
Olikh, Ya. M.
Лепих, Ярослав Ильич
Олих, Я. М.
Ключевые слова: іонна імплантація
акустичні хвилі
«квазікавітація»
напівпровідники
дефектно-домішкові структури
ionic implantation
acoustic waves
"quasi-cavitation"
semiconductors
defective - impurity structures
ионная имплантация
акустические волны
«квазикавитация»
полупроводники
дефектно-примесные структуры
Дата публикации: 2017
Издатель: Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Источник: Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies
Серия/номер: ;Т. 14, № 2.
Краткий осмотр (реферат): Стаття присвячена дослідженню фізичних процесів у напівпровідникових структурах під дією високоенергетичного опромінення при імплантації іонів Ar+, N+ і O+ і при одночасному опроміненні акустичними хвилями. Виявлено ряд ефектів обумовлених стимуляцією акустичним полем.
The article is devoted to the investigation of physical processes in semiconductor structures under the action of high-energy irradiation at Ar +, N + and O + ions implantation and at simultaneous acoustic waves irradiation. A number of effects caused by an acoustic field stimulation has been revealed.
Статья посвящена исследованию физических процессов в полупроводниковых структурах под действием высокоэнергетического облучения при имплантации ионов Ar+, N+ и O+ и при одновременном облучении акустическими волнами. Выявлен ряд эффектов обусловленных стимуляцией акустическим полем.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/11136
Располагается в коллекциях:"Сенсорна електроніка і мікросистемні технології"

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
46-54.pdf526,09 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
View Statistics

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь