Акустостимульована “квазікавітація” вакансійних дефектів у напівпровідниках при їх високоенергетичному опроміненні

Стаття присвячена дослідженню фізичних процесів у напівпровідникових структурах під дією високоенергетичного опромінення при імплантації іонів Ar+, N+ і O+ і при одночасному опроміненні акустичними хвилями. Виявлено ряд ефектів обумовлених стимуляцією акустичним полем.
The article is devoted to the investigation of physical processes in semiconductor structures under the action of high-energy irradiation at Ar +, N + and O + ions implantation and at simultaneous acoustic waves irradiation. A number of effects caused by an acoustic field stimulation has been revealed.
Статья посвящена исследованию физических процессов в полупроводниковых структурах под действием высокоэнергетического облучения при имплантации ионов Ar+, N+ и O+ и при одновременном облучении акустическими волнами. Выявлен ряд эффектов обусловленных стимуляцией акустическим полем.

Ключові слова

іонна імплантація, акустичні хвилі, «квазікавітація», напівпровідники, дефектно-домішкові структури, ionic implantation, acoustic waves, "quasi-cavitation", semiconductors, defective - impurity structures, ионная имплантация, акустические волны, «квазикавитация», полупроводники, дефектно-примесные структуры

Бібліографічний опис

Сенсорна електронiка i мiкросистемнi технологiї = Sensor Electronics and Microsystem Technologies

URI

https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/11136

Зібрання

Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Повна інформація про документ