• EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONS 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Yemets, O. V.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Емец, Е. В.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Ємець, О. В. (Астропринт, 2009)
      The influence of ammonia, water and ethylene vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents, as well as on the kinetics of the surface current in silicon p-n structures was studied. All these vapors enhance ...
    • Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2017)
      Supplement to the article published in Photoelectronics. – 2016. – № 25. – P. 126–131.
    • Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016)
      The time-resolved surface current in an n-conducting channel, due to ammonia and water molecules adsorption in GaAs p-n structures was studied. It is shown that the presence of water vapors in the ambient atmosphere strongly ...
    • NEGATIVE SENSITIVITY OF SILICON p—n JUNCTIONS AS GAS SENSORS 

      Ptashchenko, F. O.; Ptashchenko, O. O.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, Ф. О.; Птащенко, О. О.; Довганюк, Г. В.; Птащенко, Ф. А.; Птащенко, А. А.; Довганюк, Г. В. (Astroprint, 2011)
      The influence of ammonia vapors on I—V characteristics of the forward and reverse currents in silicon p—n junctions with different doping levels was studied.Some samples had anomalous high forward and reverse currents.They ...
    • SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS, PASSIVATED BY SULPHUR ATOMS 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Masleyeva, N. V.; Bogdan, O. V.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Маслеева, Н. В.; Богдан, О. В.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Маслєєва, Н. В.; Богдан, О. В. (Астропринт, 2009)
      Influence of the storage (low-temperature annealing) of sulphur-passivated GaAs p-n structures in a neutral (helium) atmosphere at room temperature on I-V characteristics of forward and reverse currents was studied. The ...
    • TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTION 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2013)
      The effect of a treatment in concentrated wet ammonia vapors on I-V characteristics of GaAs p-n junctions, measured in air and in ammonia vapors, was studied. Such a treatment strongly enhances the sensitivity of the surface ...
    • TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTION 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Shugarova, V. V.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Шугарова, В. В.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Шугарова, В. В. (Астропринт, 2009)
      The influence of ammonia vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs- AlGaAs p-n junctions with degenerated p+ region was studied. It is shown that ammonia molecules ...
    • ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ 

      Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013)
      Досліджено вплив тривалої витримки p-n переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їхні характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення ...
    • Вплив структури кремнієвих P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорів. 

      Птащенко, Ф. О.; Птащенко, О. О.; Довганюк, Г. В.; Птащенко, Ф. А.; Птащенко, А. А.; Довганюк, Г. В.; Ptashchenko, F. O.; Ptashchenko, O. O.; Dovganyuk, G. V. (Астрапринт, 2011)
      Досліджено вплив рівня легування кремнієвих p-n переходів на їхні характеристики як сенсорів парів аміаку. Проведено чисельні двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p-n переходах при адсорбції молекул ...