• About performance linearity of the environment gas humidity capacitive sensors based on silicon mos structures with a nanodimensional silicon oxide 

      Fastykovsky, Pavel P.; Glauberman, Mihail A.; Фастиковський, Павло Петрович; Глауберман, Михайло Абович (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2015)
      The purpose of this work is to establish the reason for the performance linearity of the environment gas humidity capacitive sensors, based on silicon MOS structures with a nanodimensional silicon oxide being in depletion ...
    • Investigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradation 

      Kulinich, O.; Glauberman, Mihail A.; Chemeresuk, Geogriy G.; Yatsunsky, I.; Кулініч, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунский, І. Р.; Кулинич, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, И. Р. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005)
      The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be: - ...