• EFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF Si AND GaAs P-N JUNCTIONS 

      Ptashchenko, О. О.; Ptashchenko, F. О.; Gilmutdinova, V. R.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Довганюк, Г. В.; Гильмутдинова, В. Р. (Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова, 2012)
      The influence of ammonia and water vapors on I-V characteristics of the reverse currents in Si and GaAs p-n junctions was studied. At most of the studied samples, the ammonia- and water vapors lover the breakdown voltage. ...
    • Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016)
      The time-resolved surface current in an n-conducting channel, due to ammonia and water molecules adsorption in GaAs p-n structures was studied. It is shown that the presence of water vapors in the ambient atmosphere strongly ...
    • Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2017)
      Supplement to the article published in Photoelectronics. – 2016. – № 25. – P. 126–131.
    • TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTION 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2013)
      The effect of a treatment in concentrated wet ammonia vapors on I-V characteristics of GaAs p-n junctions, measured in air and in ammonia vapors, was studied. Such a treatment strongly enhances the sensitivity of the surface ...
    • ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ 

      Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013)
      Досліджено вплив тривалої витримки p-n переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їхні характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення ...