• APPLICATION OF A SENSOR ON THE HETEROJUNCTION CdS-Cu2S BASIS 

      Borschak, V. A.; Борщак, Виталий Анатольевич (Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова, 2012)
      A novel image sensor has been developed for measuring weak optical signals. The optical information is stored as the charge of the non-equilibrium carriers trapped in the space-charge region of the heterojunction. In the ...
    • DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY OF NONIDEAL HETEROJUNCTION FROM 

      Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Smyntyna, V. A.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П.; Смынтына, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. І.; Затовська, Н. П.; Балабан, А. П.; Сминтина, В. А. (Астропринт, 2009)
      It is shown that nonideal CdS-Cu2S heterojunction illumination results in essential space-charge region width reduction and change of a potential barrier form. It is established that this change is the most expressed near ...
    • DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY OF NONIDEAL HETEROJUNCTION FROM PHOTOEXCITATION CONDITIONS 

      Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Smyntyna, V. A.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П.; Смынтына, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. І.; Затовська, Н. П.; Балабан, А. П.; Сминтина, В. А. (Астропринт, 2009)
      It is shown that nonideal CdS-Cu2S heterojunction illumination results in essential space-charge region width reduction and change of a potential barrier form. It is established that this change is the most expressed near ...
    • EFFECT OF PHOTOCURRENT SHORTWAVE STIMULATION AND DETERMINATION OF DIFFUSION LENGTH FOR MINORITY CARRIERS IN Cu2S 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Смынтына, В. А.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П.; Сминтина, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Кулатова, М. І.; Затовська, Н. П.; Балабан, А. П. (Астропринт, 2007)
      The most important parameter that defines efficiency in carrier collection and, respectively, efficiency of photocon- verter, is diffusion length of minority carriers in material where basic light absorption ...
    • EXTERNAL BIAS INFLUENCE ON TRANSMISSION PROCESSES IN NONIDEAL HETEROJUNCTION 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Сминтина, В. А.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. І.; Затовськая, Н. П.; Балабан, А. П.; Смынтына, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П. (Астропринт, 2008)
      Optimum conditions for nonequilibrium positive charge accumulation and storages are determined. The maximal charge accumulation speed for a sample, which bas³ñ cadmium sulfide layer is obtained by liquid electrohydrodynamical ...
    • IMAGE SENSOR ON THE BASIS OF NONIDEAL HETEROJUNCTION WITH RIGID RASTER 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Смынтына, В. А.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П.; Сминтина, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. І.; Затовська, Н. П.; Балабан, А. П. (Астропринт, 2006)
      The basic requirement to modern solid-state optical image converters is strict geometrical conformity between target video signal and optical image elements. In the given work the design of image sensor on ...
    • INVESTIGATION IN TEMPERATURE AND FREQUENCY DEPENDENCES FOR CONDUCTIVITY IN BARRIER REGION OF NONIDEAL HETEROJUNCTION 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P. (Астрапринт, 2005)
      The described experimental data indicate the tunnel-jumping character of carriers transport through space-charge region (SCR) of heterojunction CdS—Cu2S.The conductivity caused by this mechanism essentially depends on the ...
    • Investigation of chemical and phase composition of CdS-Cu2S sensoric layers 

      Borschak, V. A.; Brytavskyi, Iе. V.; Kutalova, M. I.; Борщак, Віталій Анатолійович; Бритавський, Євген Вікторович; Куталова, М. І.; Борщак, Виталий Анатольевич; Бритавский, Евгений Викторович; Куталова, М. И. (Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2015)
      A set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the ...
    • MICROSTRUCTURAL FEATURES AND COMPONENTIAL ANALYSIS OF THIN FILM CdS-Cu2S PHOTOSENSING STRUCTURES AS ELEMENT OF IMAGE SENSOR 

      Borschak, V. A.; Smyntyna, V. A.; Brytavskyi, E. V.; Zubritskiy, S. V.; Kutalova, M. I.; Lepikh, Ya. I.; Борщак, Виталий Анатольевич; Смынтына, В. А.; Зубрицкий, С. В.; Бритавский, Е. В.; Куталова, М. И.; Лепих, Я. И.; Сминтина, В. А.; Зубрицький, С. В.; Бритавський, Є. В.; Куталова, М. І.; Лепіх, Я. І. (Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2013)
      The mechanisms of signal relaxation, associated with the removal processes of nonequilibrium charge from the space charge region of the image sensor on the basis of non-ideal heterojunction were investigated. The mechanism ...
    • Modelling of rapid stage decay of signal of optical sensor based on heterostructure CdS-Cu2S 

      Borschak, V. A.; Smyntyna, V. A.; Brytavskyi, IE. V. (Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2014)
      The work is devoted to modeling and calculation of the spatial distribution of the concentration of charge localized in the space charge region (SCR) heterojunction, this distribution changes with time at different initial ...
    • NONIDEAL HETEROJUNCTION CONDUCTIVITY 

      Borschak, V. A.; Кutalova, M. I.; Smyntyna, V. A.; Balaban, A. P.; Brytavskyi, Ye. V.; Zatovskaya, N. P.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. І.; Сминтина, В. А.; Балабан, А. П.; Бритавський, Є. В.; Затовська, Н. П.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. И.; Смынтына, В. А.; Балабан, А. П.; Бритавский, Е. В.; Затовская, Н. П. (Астропринт, 2010)
      CdS-Cu2S heterojunction conductivity both on continuous, and on an alternating current strongly depends on barrier parameters which can vary under illumination influence. It is established, that space charge region ...
    • Sensor based on a non-ideal heterojunction to indicate X-ray images 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P. (2004)
      The sensor of optical image on the basis of non-ideal heterojunctions are investigated in detail.In this work,the opportunity to obtain the image in X-rays was investigated. It is established that investigated sensor is ...
    • Signal relaxation in image sensor based on nonideal heterojunctions 

      Smyntyna, Valentyn A.; Borschak, V. A.; Balaban, A. P.; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, А. П.; Сминтина, Валентин Андрійович; Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, А. П. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004)
      Nonequilibrium charge relaxation processes in the barrier zone of nonideal heterojunction have been studied. Sensor based on nonideal heterojunctions is capable of a rather long-term storage of a latent image even at ...
    • ДОСЛІДЖЕННЯ БАР’ЄРНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S З ВИКОРИСТАННЯМ МЕТОДИКИ BELIV 

      Борщак, Виталий Анатольевич; Borschak, V. A. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013)
      У роботі проведено дослідження концентрації вільних носіїв, їх рухливості, висоти бар'єру в зразках полікристалічних гетероструктур Cu2S-CdS з використанням методики вимірювань бар'єрних характеристик при підключенні лінійно ...