• DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY OF NONIDEAL HETEROJUNCTION FROM 

      Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Smyntyna, V. A.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П.; Смынтына, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. І.; Затовська, Н. П.; Балабан, А. П.; Сминтина, В. А. (Астропринт, 2009)
      It is shown that nonideal CdS-Cu2S heterojunction illumination results in essential space-charge region width reduction and change of a potential barrier form. It is established that this change is the most expressed near ...
    • DEPENDENCE OF SPACE-CHARGE REGION CONDUCTIVITY OF NONIDEAL HETEROJUNCTION FROM PHOTOEXCITATION CONDITIONS 

      Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Smyntyna, V. A.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П.; Смынтына, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. І.; Затовська, Н. П.; Балабан, А. П.; Сминтина, В. А. (Астропринт, 2009)
      It is shown that nonideal CdS-Cu2S heterojunction illumination results in essential space-charge region width reduction and change of a potential barrier form. It is established that this change is the most expressed near ...
    • EFFECT OF PHOTOCURRENT SHORTWAVE STIMULATION AND DETERMINATION OF DIFFUSION LENGTH FOR MINORITY CARRIERS IN Cu2S 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Смынтына, В. А.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П.; Сминтина, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Кулатова, М. І.; Затовська, Н. П.; Балабан, А. П. (Астропринт, 2007)
      The most important parameter that defines efficiency in carrier collection and, respectively, efficiency of photocon- verter, is diffusion length of minority carriers in material where basic light absorption ...
    • EXTERNAL BIAS INFLUENCE ON TRANSMISSION PROCESSES IN NONIDEAL HETEROJUNCTION 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Сминтина, В. А.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. І.; Затовськая, Н. П.; Балабан, А. П.; Смынтына, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П. (Астропринт, 2008)
      Optimum conditions for nonequilibrium positive charge accumulation and storages are determined. The maximal charge accumulation speed for a sample, which bas³ñ cadmium sulfide layer is obtained by liquid electrohydrodynamical ...
    • IMAGE SENSOR ON THE BASIS OF NONIDEAL HETEROJUNCTION WITH RIGID RASTER 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Смынтына, В. А.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. И.; Затовская, Н. П.; Балабан, А. П.; Сминтина, В. А.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. І.; Затовська, Н. П.; Балабан, А. П. (Астропринт, 2006)
      The basic requirement to modern solid-state optical image converters is strict geometrical conformity between target video signal and optical image elements. In the given work the design of image sensor on ...
    • INVESTIGATION IN TEMPERATURE AND FREQUENCY DEPENDENCES FOR CONDUCTIVITY IN BARRIER REGION OF NONIDEAL HETEROJUNCTION 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P. (Астрапринт, 2005)
      The described experimental data indicate the tunnel-jumping character of carriers transport through space-charge region (SCR) of heterojunction CdS—Cu2S.The conductivity caused by this mechanism essentially depends on the ...
    • NONIDEAL HETEROJUNCTION CONDUCTIVITY 

      Borschak, V. A.; Кutalova, M. I.; Smyntyna, V. A.; Balaban, A. P.; Brytavskyi, Ye. V.; Zatovskaya, N. P.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, М. І.; Сминтина, В. А.; Балабан, А. П.; Бритавський, Є. В.; Затовська, Н. П.; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, М. И.; Смынтына, В. А.; Балабан, А. П.; Бритавский, Е. В.; Затовская, Н. П. (Астропринт, 2010)
      CdS-Cu2S heterojunction conductivity both on continuous, and on an alternating current strongly depends on barrier parameters which can vary under illumination influence. It is established, that space charge region ...
    • Sensor based on a non-ideal heterojunction to indicate X-ray images 

      Smyntyna, V. A.; Borschak, V. A.; Kutalova, M. I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P. (2004)
      The sensor of optical image on the basis of non-ideal heterojunctions are investigated in detail.In this work,the opportunity to obtain the image in X-rays was investigated. It is established that investigated sensor is ...
    • Signal relaxation in image sensor based on nonideal heterojunctions 

      Smyntyna, Valentyn A.; Borschak, V. A.; Balaban, A. P.; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, А. П.; Сминтина, Валентин Андрійович; Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, А. П. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004)
      Nonequilibrium charge relaxation processes in the barrier zone of nonideal heterojunction have been studied. Sensor based on nonideal heterojunctions is capable of a rather long-term storage of a latent image even at ...
    • СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ТИПИЧНЫХ ФОТОМАТЕРИАЛОВ И ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ 

      Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, А. П.; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, А. П.; Borshchak, V. A.; Balaban, A. P. (Астропринт, 2008)
      Проведено исследование фотоэлектрических характеристик элементов памяти на основе неидеального гетероперехода. Применение понятий сенситометрии к твердотельным элементам памяти позволило получить универсальное выражение ...