• EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONS 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Yemets, O. V.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Емец, Е. В.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Ємець, О. В. (Астропринт, 2009)
      The influence of ammonia, water and ethylene vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents, as well as on the kinetics of the surface current in silicon p-n structures was studied. All these vapors enhance ...
    • EFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF Si AND GaAs P-N JUNCTIONS 

      Ptashchenko, О. О.; Ptashchenko, F. О.; Gilmutdinova, V. R.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Довганюк, Г. В.; Гильмутдинова, В. Р. (Одесский национальный университете имени И. И. Мечникова, 2012)
      The influence of ammonia and water vapors on I-V characteristics of the reverse currents in Si and GaAs p-n junctions was studied. At most of the studied samples, the ammonia- and water vapors lover the breakdown voltage. ...
    • Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctions 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016)
      The time-resolved surface current in an n-conducting channel, due to ammonia and water molecules adsorption in GaAs p-n structures was studied. It is shown that the presence of water vapors in the ambient atmosphere strongly ...
    • NEGATIVE SENSITIVITY OF SILICON p—n JUNCTIONS AS GAS SENSORS 

      Ptashchenko, F. O.; Ptashchenko, O. O.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, Ф. О.; Птащенко, О. О.; Довганюк, Г. В.; Птащенко, Ф. А.; Птащенко, А. А.; Довганюк, Г. В. (Astroprint, 2011)
      The influence of ammonia vapors on I—V characteristics of the forward and reverse currents in silicon p—n junctions with different doping levels was studied.Some samples had anomalous high forward and reverse currents.They ...
    • SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS, PASSIVATED BY SULPHUR ATOMS 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Masleyeva, N. V.; Bogdan, O. V.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Маслеева, Н. В.; Богдан, О. В.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Маслєєва, Н. В.; Богдан, О. В. (Астропринт, 2009)
      Influence of the storage (low-temperature annealing) of sulphur-passivated GaAs p-n structures in a neutral (helium) atmosphere at room temperature on I-V characteristics of forward and reverse currents was studied. The ...
    • TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTION 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2013)
      The effect of a treatment in concentrated wet ammonia vapors on I-V characteristics of GaAs p-n junctions, measured in air and in ammonia vapors, was studied. Such a treatment strongly enhances the sensitivity of the surface ...
    • TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTION 

      Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Shugarova, V. V.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Шугарова, В. В.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Шугарова, В. В. (Астропринт, 2009)
      The influence of ammonia vapors on I-V characteristics of forward and reverse currents and kinetics of surface currents in GaAs- AlGaAs p-n junctions with degenerated p+ region was studied. It is shown that ammonia molecules ...
    • ВПЛИВ АТОМІВ СІРКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ 

      Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Маслєєва, Н. В.; Богдан, О. В.; Шугарова, В. В. (Астропринт, 2008)
      Досліджено пасивацію поверхні GaAs атомами сірки та вплив пасивації на характеристики р-n переходів на основі GaAs як газових сенсорів. Пасивація здійснювалась нанесенням на поверхню GaAs атомів сірки у водних розчинах ...
    • ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ 

      Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013)
      Досліджено вплив тривалої витримки p-n переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їхні характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення ...
    • Вплив структури P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорів 

      Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Шугарова, В. В. (Астропринт, 2010)
    • Вплив структури кремнієвих P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорів. 

      Птащенко, Ф. О.; Птащенко, О. О.; Довганюк, Г. В.; Птащенко, Ф. А.; Птащенко, А. А.; Довганюк, Г. В.; Ptashchenko, F. O.; Ptashchenko, O. O.; Dovganyuk, G. V. (Астрапринт, 2011)
      Досліджено вплив рівня легування кремнієвих p-n переходів на їхні характеристики як сенсорів парів аміаку. Проведено чисельні двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p-n переходах при адсорбції молекул ...
    • Вплип рівня легування кремнієвих p-n переходів на іхні характеристики як сенсорів парів аміаку 

      Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Кирничук, О. С. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016)
      Дослідженно вплив рівня легування на поверхневий струм кремнієвих p-n переходів, обумовленний адсорбцією види та аміаку. Вимірювання провеено на плавних p-n переходах з градієнтом концентрації домішок від am=1*1021см-4 ...
    • СУЛЬФІДНА АКТИВАЦІЯ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ Ga As ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ 

      Пташенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Дмитрук, М. Л.; Маслєєва, Н. В.; Богдан, О. В. (Астропринт, 2010)
    • Формування поверхневого провідного каналу в P-N структурах при адсорбції іонів 

      Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2003)
      Проведено двовимірні чисельні розрахунки розподілу потенціалу і густини струму в p-n структурах на основі GaAs з урахуванням поверхневої рекомбінації та викривлення зон під дією адсорбованих іонів. Дія адсорбованих іонів, ...
    • ХАРАКТЕРИСТИКИ Р-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ InGaN ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ 

      Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Блажнова, О. А. (Астропринт, 2008)
      Досліджено вплив парів аміаку, води та етилену в навколишній атмосфері на стаціонарні вольт-амперні характеристики (ВАХ) прямого і зворотного струмів у р-n переходах на основі InGaN. Вимірювання проводилися на р-n структурах, ...