DSpace О системе DSpace
україн русск eng
[Зарегистрироваться]
 

Repository at Odesa I.Mechnikov National University >

Просмотр собрания по группе - Авторы Птащенко, Ф. О.

Перейти к: 0-9 А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І Ї К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ю Я Ь | Э Ё Ъ Ы
                A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
или введите несколько первых букв:   
Сортировка: Упорядочнить: Вывести на страницу: Авторы:
Отображение результатов 1 до 14 из 14
Предварительный просмотрДата випускНазваАвторы(ы)
2009EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONSPtashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Yemets, O. V.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Емец, Е. В.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Ємець, О. В.
2012EFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF Si AND GaAs P-N JUNCTIONSPtashchenko, О. О.; Ptashchenko, F. О.; Gilmutdinova, V. R.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Довганюк, Г. В.; Гильмутдинова, В. Р.
2016Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctionsPtashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р.
2011NEGATIVE SENSITIVITY OF SILICON p—n JUNCTIONS AS GAS SENSORSPtashchenko, F. O.; Ptashchenko, O. O.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, Ф. О.; Птащенко, О. О.; Довганюк, Г. В.; Птащенко, Ф. А.; Птащенко, А. А.; Довганюк, Г. В.
2009SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS, PASSIVATED BY SULPHUR ATOMSPtashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Masleyeva, N. V.; Bogdan, O. V.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Маслеева, Н. В.; Богдан, О. В.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Маслєєва, Н. В.; Богдан, О. В.
2009TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTIONPtashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Shugarova, V. V.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Шугарова, В. В.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Шугарова, В. В.
2013TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTIONPtashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р.
2008ВПЛИВ АТОМІВ СІРКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВПтащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Маслєєва, Н. В.; Богдан, О. В.; Шугарова, В. В.
2013ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВПтащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р.
2010Вплив структури P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорівПтащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Шугарова, В. В.
2011Вплив структури кремнієвих P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорів.Птащенко, Ф. О.; Птащенко, О. О.; Довганюк, Г. В.; Птащенко, Ф. А.; Птащенко, А. А.; Довганюк, Г. В.; Ptashchenko, F. O.; Ptashchenko, O. O.; Dovganyuk, G. V.
2010СУЛЬФІДНА АКТИВАЦІЯ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ Ga As ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВПташенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Дмитрук, М. Л.; Маслєєва, Н. В.; Богдан, О. В.
2003Формування поверхневого провідного каналу в P-N структурах при адсорбції іонівПтащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.
2008ХАРАКТЕРИСТИКИ Р-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ InGaN ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВПтащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Блажнова, О. А.
Отображение результатов 1 до 14 из 14

 

п╞пҐпЄп╣п╨я│ я├п╦я┌п╦я─п╬п╡п╟пҐп╦я▐ DSpace Software Copyright © 2002-2005 MIT and Hewlett-Packard - Обратная связь