Browsing by Author Птащенко, Федір Олександрович

Jump to: 0-9 А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І Ї К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ю Я Ь | Э Ё Ъ Ы
                A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 14 of 14
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
fotoel_18_2009_28-32.pdf.jpg2009EFFECT OF AMBIENT ATMOSPHERE ON THE SURFACE CURRENT IN SILICON P-N JUNCTIONSPtashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Yemets, O. V.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Емец, Е. В.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Ємець, О. В.
Fotoelectronika_21.121-126.pdf.jpg2012EFFECT OF AMMONIA VAPORS ON THE BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF Si AND GaAs P-N JUNCTIONSPtashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Gilmutdinova, Valeriia R.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна; Довганюк, Г. В.; Гильмутдинова, Валерия Рафаэловна; Птащенко, Александр Александрович
107-111+.pdf.jpg2014Effect of deep centers on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctionsPtashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Gilmutdinova, Valeriia R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Гильмутдинова, Валерия Рафаэловна
Fotoel_17_36-39.pdf.jpg2008EFFECT OF SULPHUR ATOMS ON SURFACE CURRENT IN GAAS P-N JUNCTIONSPtashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Masleyeva, N. V.; Bogdan, O. V.; Shugarova, V. V.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Маслєєва, Наталя Володимирівна; Богдан, О. В.; Шугарова, В. В.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Маслеева, Наталья Владимировна; Богдан, О. В.; Шугарова, В. В.
126-130.pdf.jpg2016Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p-n junctionsPtashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Gilmutdinova, Valeriia R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Гильмутдинова, Валерия Рафаэловна
фото_20_44-48+.pdf.jpg2011NEGATIVE SENSITIVITY OF SILICON p—n JUNCTIONS AS GAS SENSORSPtashchenko, Fedir O.; Ptashchenko, Oleksandr O.; Dovganyuk, G. V.; Птащенко, Федір Олександрович; Птащенко, Олександр Олександрович; Довганюк, Г. В.; Птащенко, Федор Александрович; Птащенко, Александр Александрович; Довганюк, Г. В.
fotoel_18_2009_115-118.pdf.jpg2009SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS, PASSIVATED BY SULPHUR ATOMSPtashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Masleyeva, N. V.; Bogdan, O. V.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Маслеева, Наталья Владимировна; Богдан, О. В.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Маслєєва, Наталя Володимирівна; Богдан, О. В.
38-42.pdf.jpg2013TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs P-N JUNCTIONS INDUCED BY AMMONIA MOLECULES ADSORPTIONPtashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Gilmutdinova, Valeriia R.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Гильмутдинова, Валерия Рафаэловна
fotoel_18_2009_95-98.pdf.jpg2009TUNNEL SURFACE CURRENT IN GaAs–AlGaAs P-N JUNCTIONS, DUE TO AMMONIA MOLECULES ADSORPTIONPtashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, Fedir O.; Shugarova, V. V.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Федор Александрович; Шугарова, В. В.; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Шугарова, В. В.
147-153.pdf.jpg2001Вплив парів аміаку на поверхневий струм p-n структур на основі напівпровідників AІІІBVАртеменко, О. С.; Маслєєва, Наталія Володимирівна; Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Птащенко, Александр Александрович; Ptashchenko, Oleksandr O.
71.pdf.jpg2014Деградація газових сенсорів на основі кремнієвих р-n переходівПтащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Довганюк, Г. В.; Севастян, А. П.; Печерянський, О. В.; Птащенко, Александр Александрович; Ptashchenko, Oleksandr O.
72.pdf.jpg2014Нестабільність поверхневих центрів у газових сенсорах на основі арсенід-галієвих р-х переходівПтащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Гільмутдінова, Валерія Рафаїлівна; Севастян, А. П.; Печерянський, О. В.; Птащенко, Александр Александрович; Ptashchenko, Oleksandr O.
76-80.pdf.jpg2002Рефрактометричні характеристики напівпровідникових лазерівПтащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Птащенко, Александр Александрович; Ptashchenko, Oleksandr O.
226-233.pdf.jpg2003Формування поверхневого провiдного каналу в P-N структурах при адсорбцii іонівПтащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Федір Олександрович; Птащенко, Александр Александрович; Ptashchenko, Oleksandr O.