• Вплив обробки в рзчині Na2S на поверхневий струм в P-N переходах на оcнові GaAs 

      Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Дмитрук, М. Л.; Богдан, О. В.; Гільмутдінова, В. Р.; Маслєєва, Наталія Володимирівна (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016)
      P-n переходи на основі GaAs перспективних для розробки хімічних сенсорів,оскільки вони мають суттєво нижчий поріг чутливості до парів NH3, ніж кремнієві p-n переходи, мембрани на основі поризтого кремнію та кремнієвих ...
    • ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ 

      Птащенко, О. О.; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Ptashchenko, O. O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, А. А.; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013)
      Досліджено вплив тривалої витримки p-n переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їхні характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення ...
    • Вплип рівня легування кремнієвих p-n переходів на іхні характеристики як сенсорів парів аміаку 

      Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Кирничук, О. С. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2016)
      Дослідженно вплив рівня легування на поверхневий струм кремнієвих p-n переходів, обумовленний адсорбцією види та аміаку. Вимірювання провеено на плавних p-n переходах з градієнтом концентрації домішок від am=1*1021см-4 ...