• Investigation of the causes of silicon MOS — transistor parameters catastrophic degradation 

      Kulinich, O.; Glauberman, Mihail A.; Chemeresuk, Geogriy G.; Yatsunsky, I.; Кулініч, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Яцунский, І. Р.; Кулинич, О. А.; Глауберман, Михайло Абович; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Яцунский, И. Р. (Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2005)
      The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be: - ...