Перегляд за Автор "Terletskaya, L. L."
Зараз показуємо 1 - 4 з 4
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Photosensors with Si— GaAs heterojunction as memory elements(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2001) Terletskaya, L. L.; Skobeeva, Valentyna M.; Golubtsov, V. V.The photosensors with non-ideal heterojunction, prepared by special technique, have property of anode voltage independent accumulation and memory. The regularity of structure switching was found in dependence on intensity and duration of light signal. The mechanism of memory effects is proposed. The possibility of creating of energy independent memory devices is shown.Документ Исследование структуры ионнолегированного кремния после импульсного лазерного отжига(Одесский национальный университет имени И.И. Мечникова, 2004) Терлецкая, Л. Л.; Копыт, Николай Харламович; Голубцов, Вячеслав Васильевич; Терлецька, Л. Л.; Копит, М. Х.; Голубцов, В. В.; Terletskaya, L. L.; Kopyt, Mykola Kh.; Golubtsov, V. V.Представлены результаты исследования влияния когерентного излучения на степень активации примеси в ионнолегированных структурах кремния. Рассмот- рены физические процессы, происходящие в приповерхностной области образ- цов кремния при воздействии лазерного отжига. Показана возможность суще- ственного улучшения электрофизических характеристик кремния путем оптими- зации параметров лазерного излучения. Представлено результати дослідження впливу когерентного випроміню- вання на ступінь активації домішки в іоннолегованих структурах кремнію. Розглянуто фізичні процеси, що відбуваються у приповерхневій області зра- зків кремнію за умов дії лазерного відпалу. Показано можливість суттєвого поліпшення елекрофізичних характеристик кремнію шляхом оптимізації параметрів лазерного випромінювання. Results of study of the influence of coherent radiation on the degree of impurity activation in the ion-implantation silicon structures are presented. There are considered physical proceses in surface region of silicon sample at the laser annealing. It is shown the possibility of improvement of the electrophysicals characteristics of silicon by means optimisation of lasers emission parameters.Документ Неоднородность приповерхностных слоев гетерогенных систем после термической обработки(Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова, 2012) Терлецкая, Л. Л.; Копыт, Николай Харламович; Калиниченко, Л. Ф.; Терлецька, Л. Л.; Копит, М. Х.; Калініченко, Л. Ф.; Голубцов, Вячеслав Васильевич; Terletskaya, L. L.; Kopyt, Mykola Kh.; Kalinichenko, L. F.; Golubtsov, B. B.Установлена существенная слоистая неоднородность в приповерхностных областях полуизолирующего арсенида галлия после термического отжига при температурах, близких процессу жидкофазной эпитаксии. Показаны возможности оптимизации параметров подложек для получения на их основе малонапряженных эпитаксиальных структур с улучшенными функциональными свойствами.Документ Особенности улучшения структурно-чувствительных параметров сенсоров на основе гетерогенных дисперсных систем(Одесский национальный университет им.И.И. Мечникова, 2010) Терлецкая, Л. Л.; Копыт, Николай Харламович; Голубцов, Вячеслав Васильевич; Терлецька, Л. Л.; Копит, М. Х.; Голубцов, В. В.; Terletskaya, L. L.; Kopyt, Mykola Kh.; Golubtsov, V. V.Рассмотрены особенности получения подложек GaAs с улучшенными структурными электрофизическими параметрами для сенсоров. Розработаны оптимальные технологические режимы процессов изотермической обработки и обработки исходных пластин в поле градиента температур, способствуюих значительному снижению плотности дислокаций и уменьшению объемной доли проводящих неоднородностей. Комплексное применение разработаных методов предназначено для оптимизации технологии получения подложек GaAs в производстве сенсоров и повышения их надежности.