Перегляд за Автор "Sviridova, O. V."
Зараз показуємо 1 - 4 з 4
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ INFLUENCE OF IMPURITIES AND DISLOCATIONS ON THE VALUE OF THRESHOLD STRESSES AND PLASTIC DEFORMATIONS IN SILICON(Астропринт, 2009) Smyntyna, Valentyn A.; Sviridova, O. V.; Смынтына, Валентин Андреевич; Свиридова, О. В.; Сминтина, Валентин Андрійович; Свірідова, О. В.The dependence of a plastic flow stress and deformation values on the presence of clear and precipitated by impurity initial structural defects in epitaxial p — silicon without foreign impurity and in epitaxial p — silicon with oxygen impurity is investigated. It is established, that, boron doping of silicon is the reason of threshold stress reduction in comparison with threshold stress for clear from defects silicon and leads to reduction of its hardness. Presence of oxygen, precipitating dislocations in plates, stimulates the increase of threshold stress. Исследована зависимость величины напряжений и деформаций начала пластического течения от присутствия чистых и преципитированных примесями исходных структурных дефектов в эпитаксиальном p- кремнии без сторонних примесей и в эпитаксиальном p- кремнии с примесью кислорода. Установлено, что, легирование кремния бором является причиной уменьшения пороговых напряжений по сравнению с пороговыми напряжениями для чистого от дефектов кремния и приводит к уменьшению его прочности. Присутствие в пластинах кислорода, преципитирующего дислокации, стимулирует возрастание пороговых напряжений. Досліджено залежність величини напруги і деформації початку пластичної течії від наявності чистих і преципітованих домішками початкових структурних дефектів в епітаксіальному p- кремнії без сторонніх домішок і в епітаксіальному p- кремнії з домішкою кисню. Встановлено, що, легування кремнію бором є причиною зменшення порогової напруги в порівнянні із пороговою напругою для чистого від домішок кремнію і призводить до зниження його міцності. Присутність в пластинах кисню, преципітуючого дислокації, стимулює зростання порогової напруги.Документ The dependence of a plastic flow stress and deformation values on the presence of clear and precipitated by impurity initial structural(Астропринт, 2009) Smyntyna, Valentyn A.; Sviridova, O. V.; Смынтына, Валентин Андреевич; Свиридова, О. В.; Сминтина, Валентин Андрійович; Свірідова, О. В.The dependence of a plastic flow stress and deformation values on the presence of clear and precipitated by impurity initial structural defects in epitaxial p — silicon without foreign impurity and in epitaxial p — silicon with oxygen impurity is investigated. It is established, that, boron doping of silicon is the reason of threshold stress reduction in comparison with threshold stress for clear from defects silicon and leads to reduction of its hardness. Presence of oxygen, precipitating dislocations in plates, stimulates the increase of threshold stress.Исследована зависимость величины напряжений и деформаций начала пластического течения от присутствия чистых и преципитированных примесями исходных структурных дефектов в эпитаксиальном p- кремнии без сторонних примесей и в эпитаксиальном p- кремнии с примесью кислорода. Установлено, что, легирование кремния бором является причиной уменьшения пороговых напряжений по сравнению с пороговыми напряжениями для чистого от дефектов кремния и приводит к уменьшению его прочности. Присутствие в пластинах кислорода, преципитирующего дислокации, стимулирует возрастание пороговых напряжений.Досліджено залежність величини напруги і деформації початку пластичної течії від наявності чистих і преципітованих домішками початкових структурних дефектів в епітаксіальному p- кремнії без сторонніх домішок і в епітаксіальному p- кремнії з домішкою кисню. Встановлено, що, легування кремнію бором є причиною зменшення порогової напруги в порівнянні із пороговою напругою для чистого від домішок кремнію і призводить до зниження його міцності. Присутність в пластинах кисню, преципітуючого дислокації, стимулює зростання порогової напруги.Документ TOPOLOGICAL FEATURES OF TIN DIOXIDE FILMS OBTAINED FROM THE BIS(ACETYLACETONATO)DICHLOROTIN COMPLEXES(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2013) Smyntyna, Valentyn A.; Filevska, Liudmila M.; Sviridova, O. V.; Смынтына, Валентин Андреевич; Филевская, Людмила Николаевна; Свиридова, О. В.; Сминтина, Валентин Андрійович; Філевська, Людмила МиколаївнаThe paper presents the surface morphology studies of tin dioxide nanoscale films produced from Bis(acetylacetonato)dichlorotin complexes of different concentrations. The films are agglomerates of several nanoscale grains. The film’s grain size dependence on the number of Bis(acetylacetonato) dichlorotin in the initial solution is established. Dependencies for each type of precursors differ from each other.Документ Анализ температурных зависимостей коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности кремниевых p-i-n-фотоприемников, предназначенных для регистрации излучения в инфракрасной области спектра, проведенный для различных плотностей дислокаций в приборах(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2012) Свиридова, О. В.; Свірідова, О. В.; Sviridova, O. V.В работе построены температурные зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n-фотоприемников для разной поверхностной плотности дислокаций; установлены механизмы изменения формы температурной зависимости коэффициента усиления фототока и квантовой эффективности инфракрасных кремниевых p-i-n- фотоприемников при увеличении поверхностной плотности дислокаций.