Перегляд за Автор "Ptashchenko, F. O."
Зараз показуємо 1 - 2 з 2
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2013) Птащенко, Олександр Олександрович; Птащенко, Ф. О.; Гільмутдінова, В. Р.; Ptashchenko, Oleksandr O.; Ptashchenko, F. O.; Gilmutdinova, V. R.; Птащенко, Александр Александрович; Птащенко, Ф. А.; Гильмутдинова, В. Р.Досліджено вплив тривалої витримки p-n переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їхні характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення повільних донорних поверхневих центрів з часом десорбції т=(3,3 ± 0,1) 105с, які суттєво підвищують чутливість сенсорів. Досягнуто порогу чутливості сенсорів до парів аміаку pamin=0,1 Па (що відповідає 1ppm), чутливості 40 нА/ Па до парів NH3 і 25 нА/кПа до папів води. Верхнвмежа області чутливості сенсорів парів аміаку після вказаної обробки складає 200 Па і обумовлена наявністю поверхневих рівнів глибиною 0,18-0,20 еВ. Розширення області чутливості сенсора в результаті обробки дало змогу виявити кілька повільних глибоких поверхневих рівнів у GaAs.Документ Вплив структури кремнієвих P-N переходів на їх характеристики як газових сенсорів.(Астрапринт, 2011) Птащенко, Ф. О.; Птащенко, Олександр Олександрович; Довганюк, Г. В.; Птащенко, Ф. А.; Птащенко, Александр Александрович; Довганюк, Г. В.; Ptashchenko, F. O.; Ptashchenko, Oleksandr O.; Dovganyuk, G. V.Досліджено вплив рівня легування кремнієвих p-n переходів на їхні характеристики як сенсорів парів аміаку. Проведено чисельні двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p-n переходах при адсорбції молекул донорного газу.Встановлено, що при зростанні концентрації легуючих домішок змінюється механізм чутливості сенсор ів. При низькому рівні легування газова чутливість обумовлена утворенням поверхневого каналу з електронною провідністю. У сильно легованих структурах значну роль у формуванн і поверхневого зворотного струму відіграє тунелювання електронів у поверхневий канал. Підвищення рівня легування веде до зниження фонового прямого струму сенсорів і до суттєвого зниження чутливості при низьких концентраціях парів аміаку.