Перегляд за Автор "Brytavskyi, Yevhen V."
Зараз показуємо 1 - 13 з 13
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Effects connected with interaction of charge carriers and R-centers basic and exited states(Астропринт, 2009) Brytavskyi, Yevhen V.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Бритавский, Евгений Викторович; Каракис, Юрий Николаевич; Куталова, Мария Ивановна; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Бритавський, Євген Вікторович; Каракіс, Юрій Миколайович; Куталова, Марія Іванівна; Чемересюк, Георгій ГавриловичThe critical modes of illumination for samples with sensitization centers by exciting and quenching light were investigated. And the conditions when the spectral distribution of infrared quenching coefficient changed qualitatively have been founded. Disappearance of quenching shortwave maximum within the range of 1000 m connected with photoexcitation of holes from R-centers under the high intrinsic conductivity. The anomalous shape of quenching curve without long-wave maximum in the range of 1400 m was obtained. The observed dependence is explained by the decrease of quantum yield for infrared illumination.Документ Investigation of chemical and phase composition of CdS-Cu2S sensoric layers(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2015) Borshchak, Vitalii A.; Brytavskyi, Yevhen V.; Kutalova, Mariia I.; Борщак, Віталій Анатолійович; Бритавський, Євген Вікторович; Куталова, Марія Іванівна; Борщак, Виталий Анатольевич; Бритавский, Евгений Викторович; Куталова, Мария ИвановнаA set of studies aimed at clarifying the deviation from the stoichiometry of CuxS compound during the formation and followed over time to establish the characteristics of changes in the chemical composition of the heterojunction components were carried out. The question of relationship between optoelectrical properties of heterostructures and distribution of stoichiometry in the layer of copper sulfide is open, informative and very important for the practical implementation of the developed sensor. Electrochemical analysis and study by X-ray diffraction for large samples set were conductedДокумент MICROSTRUCTURAL FEATURES AND COMPONENTIAL ANALYSIS OF THIN FILM CdS-Cu2S PHOTOSENSING STRUCTURES AS ELEMENT OF IMAGE SENSOR(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2013) Borshchak, Vitalii A.; Smyntyna, Valentyn A.; Brytavskyi, Yevhen V.; Zubrytskyi, Serhii V.; Kutalova, Mariia I.; Lepikh, Yaroslav I.; Борщак, Виталий Анатольевич; Смынтына, Валентин Андреевич; Зубрицкий, Сергей Всеволодович; Бритавский, Евгений Викторович; Куталова, Мария Ивановна; Лепих, Ярослав Ильич; Сминтина, Валентин Андрійович; Зубрицький, Сергій Всеволодович; Бритавський, Євген Вікторович; Куталова, Марія Іванівна; Лепіх, Ярослав Ілліч; Борщак, Віталій АнатолійовичThe mechanisms of signal relaxation, associated with the removal processes of nonequilibrium charge from the space charge region of the image sensor on the basis of non-ideal heterojunction were investigated. The mechanism of the observed two-stage process was determined. Microscopic techniques (AFM, SEM) were used to estimate HJ properties (grain size, roughness) and their relations with HJ processing parameters. Novel results concerning CdS-Cu2S HJ surface morphology and impurities depth distribution were obtained. In particular, the question of observed variation of surface photosensitivity and components interdiffusion on heteroborder were clarified. Also the comparison of samples formed by two different methodics (electrodynamical spraying and vacuum evaporation techniques) was made. X-Ray diffraction (XRD) was performed in order to detect Cu-S compounds at CdS - Cu2S heterojunctions, fabricated by the vacuum deposition of CdS on a glass substrate and Cu2S layer, formed in substitution mode. The distribution of several stoichiometric phases of copper (I) sulfide was obtained as main result.Документ Modelling of rapid stage decay of signal of optical sensor based on heterostructure CdS-Cu2S(Одесский национальный университет имени И. И. Мечникова, 2014) Borshchak, Vitalii A.; Smyntyna, Valentyn A.; Brytavskyi, Yevhen V.; Борщак, Виталий Анатольевич; Борщак, Віталій АнатолійовичThe work is devoted to modeling and calculation of the spatial distribution of the concentration of charge localized in the space charge region (SCR) heterojunction, this distribution changes with time at different initial filling of deep traps centers nonequilibrium holes. Within the framework described model the theoretical calculation of two characteristic stages of relaxation current, compliance with the calculated and experimentally obtained dependencies was demonstrated.Документ NONIDEAL HETEROJUNCTION CONDUCTIVITY(Астропринт, 2010) Borshchak, Vitalii A.; Kutalova, Mariia I.; Smyntyna, Valentyn A.; Balaban, Andrii P.; Brytavskyi, Yevhen V.; Zatovska, Nataliia P.; Борщак, Виталий Анатольевич; Куталова, Марія Іванівна; Сминтина, Валентин Андрійович; Балабан, Андрій Петрович; Бритавський, Євген Вікторович; Затовська, Наталія Петрівна; Борщак, Віталій Анатолійович; Куталова, Мария Ивановна; Смынтына, Валентин Андреевич; Балабан, Андрей Петрович; Бритавский, Евгений Викторович; Затовская, Наталия ПетровнаCdS-Cu2S heterojunction conductivity both on continuous, and on an alternating current strongly depends on barrier parameters which can vary under illumination influence. It is established, that space charge region resistance essentially depends on its width (this dependence is close to linear) at fixed barrier height. It can testify to prevalence of tunnel multistage mechanisms of transfer over researched structure, for example, tunnel-jumping conductivity. Провідність гетероструктури CdS-Cu2S як на постійному, так і на змінному струмі сильно залежить від параметрів бар'єра, які можуть мінятися під впливом освітлення. Встановлено, що опір області просторового заряду істотно залежить від її ширини (ця залежність близька до лінійної) при незмінній висоті бар'єра. Це може свідчити про перевагу тунельних багатоступінчатих механізмів переносу в структурі, що досліджується, наприклад, тунельно-стрибкової провідності. Проводимость гетероструктуры CdS-Cu2S как на постоянном, так и на переменном токе сильно зависит от параметров барьера, которые могут меняться под действием освещения. Установлено, что сопротивление области пространственного заряда существенно зависит от ее ширины (эта зависимость близка к линейной) при неизменной высоте барьера. Это может свидетельствовать о преобладании туннельных многоступенчатых механизмов переноса в исследуемой структуре, например, туннельно-прыжковой проводимости.Документ Optical properties of of ZnS:Fe nanochrystalls obtained by colloidal method(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2019) Nitsuk, Yurii A.; Vaksman, Yurii F.; Tepliakova, Iryna V.; Smyntyna, Valentyn A.; Korenkova, Ganna V.; Brytavskyi, Yevhen V.; Ніцук, Юрій Андрійович; Ваксман, Юрій Федорович; Теплякова, Ірина Вікторівна; Сминтина, Валентин Андрійович; Коренкова, Ганна Валентинівна; Бритавський, Євген Вікторович; Ницук, Юрий Андреевич; Ваксман, Юрий Федорович; Теплякова, Ирина Викторовна; Смынтына, Валентин Андреевич; Коренкова, Анна Валерьевна; Бритавский, Евгений ВикторовичAbstract – iron doped zinc sulfide nanocrystals were obtained by colloidal synthesis using gelatin, lactose or polyvinyl alcohol as a stabilizing matrix. The structure of the nanocrystals was determined using X-ray diffraction (XRD). The influence of the concentration effect on the size and properties of ZnS nanocrystals, the optical absorption spectra and photoluminescence spectra were studied, and the types of optical transitions in these nanocrystals were determined.Документ Photoluminescence of CdSe:Ni nanoparticles obtained by chemical method(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2018) Nitsuk, Yurii A.; Leonenko, A. S.; Vaksman, Yurii F.; Korenkova, Ganna V.; Smyntyna, Valentyn A.; Brytavskyi, Yevhen V.; Ніцук, Юрій Андрійович; Леоненко, А. С.; Ваксман, Юрий Федорович; Коренкова, Ганна Валентинівна; Сминтина, Валентин Андрійович; Бритавський, Євген Вікторович; Бритавский, Евгений Викторович; Смынтына, Валентин Андреевич; Коренкова, Анна Валерьевна; Ницук, Юрий Андреевич; Леоненко, А. С.; Ваксман, Юрій ФедоровичCadmium selenide nanocrystals doped with nickel were prepared in water phase chemistry technique with gelatin acting as capping agent. Structures were characterized using Xray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), visible absorption and photoluminescence spectroscopies. Influence of component concentrations and technological parameters on nanocrystals average size and properties was studied.Документ Reversive spectral characteristics in IR-quenching range of photocurrent. The case of interacting holes(Астропринт, 2010) Brytavskyi, Yevhen V.; Karakis, Yurii M.; Kutalova, Mariia I.; Chemeresiuk, Heorhii H.; Каракис, Юрий Николаевич; Бритавский, Евгений Викторович; Куталова, Мария Ивановна; Чемересюк, Георгий Гаврилович; Куталова, Марія Іванівна; Чемересюк, Георгій Гаврилович; Каракіс, Юрій МиколайовичThe interaction processes between the basic and excited states of sensitization centres were investigated by reversive procedure. It was stated that all the observed effects can be explained by stimulated level of hole trap occupation and changes in thermal redistribution of captured carriers taking into account that the band scheme was corrected.Документ Silicon nanopillars forming and covering by Zn and Ti oxides for solar energy applications and biosensorics(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2017) Brytavskyi, Yevhen V.; Tereshchenko, Alla V.; Myndrul, Valerii B.; Pavlenko, Mykola V.; Smyntyna, Valentyn A.; Бритавський, Євген Вікторович; Терещенко, Алла Володимирівна; Миндрул, Валерій Борисович; Павленко, Микола Миколайович; Сминтина, Валентин Андрійович; Бритавский, Евгений Викторович; Терещенко, Алла Владимировна; Мындрул, Валерий Борисович; Павленко, Николай Николаевич; Смынтына, Валентин АндреевичThe work is focused on technology and characterization issues of silicon pillar nanostructures in combination with metal oxides, such as ZnO and TiO2, for various applications in field of biosensor and solar energy. The metal-assisted chemical etching method (MACE) modified with latex nanobeads lithography and spin-coating technique, was used to fabricate the uniform silicon nanopillar arrays. Atomic layer deposition technique (ALD) which is utilized for formation of oxide layers displays uniform coverage of the arrays and provides thin film formation independently on surface peculiarities. Therefore, it can be applied both for planar samples and 3D patterned substrates with porous media.Документ The study of heterogeneous sensitized crystals of cadmium sulfide. Part I. About charge of the centers recombination(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2017) Simanovych, Nadiia S.; Brytavskyi, Yevhen V.; Kutalova, Mariia I.; Borshchak, Vitalii A.; Karakis, Yurii M.; Сіманович, Надія Станіславівна; Бритавський, Євген Вікторович; Куталова, Марія Іванівна; Борщак, Віталій Анатолійович; Каракіс, Юрій Миколайович; Симанович, Надежда Станиславовна; Бритавский, Евгений Викторович; Куталова, Мария Ивановна; Борщак, Виталий Анатольевич; Каракис, Юрий НиколаевичThe photovoltaic properties of CdS crystals with combined alloying have been investigated. An analytical expression for the dependence of the coefficient of damping of the intensities of exciting and quenching light has been received. For the first time the concentration of fast recombination centers has been estimated. The charge state of S - and R- centersis expected. The exclusive method of decision of the system of equalizations is thus created. Modulation of LAC is shown by IR light.Документ The study of homogeneous and heterogeneous sensitized crystals Of cadmium sulfide. Part V. Inhomogeneous alloying(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2022) Kulikov, S. S.; Brytavskyi, Yevhen V.; Borshchak, Vitalii A.; Zatovska, Nataliia P.; Kutalova, Mariia I.; Karakis, Yurii M.; Куликов, С. С.; Бритавський, Євген Вікторович; Борщак, Віталій Анатолійович; Затовська, Наталія Петрівна; Куталова, Марія Іванівна; Каракіс, Юрій МиколайовичThe technology of CdS semiconductor crystals processing in the corona discharge is developed. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device.Документ Дослідження компонентного складу шарів сенсорної структури CdS-Cux S(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2014) Борщак, Віталій Анатолійович; Сминтина, Валентин Андрійович; Бритавський, Євген Вікторович; Borshchak, Vitalii A.; Smyntyna, Valentyn A.; Brytavskyi, Yevhen V.; Борщак, Виталий Анатольевич; Смынтына, Валентин Андреевич; Бритавский, Евгений ВикторовичПроведено комплекс досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв'язок ступеню та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним та надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсору, для великої вибірки зразків були проведені електрохімічний аналіз та дослідження методом рентгенівської дифрактометріїДокумент Експериментальні дослідження безполум'яного горіння газових сумішей з домішками аміаку, водню та ацетону на платиновому дротику(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2018) Калінчак, Валерій Володимирович; Черненко, Олександр Сергійович; Сікорський, Максим Васильович; Бритавський, Євген Вікторович; Стукалов, Сергій Анатолійович; Калинчак, Валерий Владимирович; Черненко, Александр Сергеевич; Сикорский, Максим Васильевич; Бритавский, Евгений Викторович; Стукалов, Сергей Анатольевич; Kalinchak, Valerii V.; Chernenko, Oleksandr S.; Sikorskyi, Maksym V.; Brytavskyi, Yevhen V.; Stukalov, Serhii A.Приводяться експериментальні дані залежності температури платинової нитки від сили струму в повітрі при наявності в ній малих домішок ацетону, аміаку та водню. Дані залежності проявляють гістерезисний характер. При зменшенні сили струму можливе самовільне погасання гетерогенно-каталітичної реакції чи самопідтримуюче каталітичне горіння. Температура каталітичного горіння домішок газів пропорційна їх концентрації. Показано, что критичне значення сили струму, що відповідає каталітичному займанню малих домішок водню, зі збільшенням концентрації збільшується з концентрацією домішки.