Перегляд за Автор "Balaban, A. P."
Зараз показуємо 1 - 3 з 3
Результатів на сторінці
Налаштування сортування
Документ Sensor based on a non-ideal heterojunction to indicate X-ray images(2004) Smyntyna, Valentyn A.; Borschak, V. A.; Kutalova, Mariia I.; Zatovskaya, N. P.; Balaban, A. P.; Куталова, Марія Іванівна; Куталова, Мария ИвановнаThe sensor of optical image on the basis of non-ideal heterojunctions are investigated in detail.In this work,the opportunity to obtain the image in X-rays was investigated. It is established that investigated sensor is sensitive to soft X-ray radiation.Memory and accumulation of a signal at a room temperature,which is characteristic of the sensor at registration of images in visible light,take place for the images obtained in X-ray range,too,which makes it possible to apply such sensor in medicine and crystallography.Документ Signal relaxation in image sensor based on nonideal heterojunctions(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2004) Smyntyna, Valentyn A.; Borshchak, Vitalii A.; Balaban, A. P.; Смынтына, Валентин Андреевич; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, А. П.; Сминтина, Валентин Андрійович; Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, А. П.Nonequilibrium charge relaxation processes in the barrier zone of nonideal heterojunction have been studied. Sensor based on nonideal heterojunctions is capable of a rather long-term storage of a latent image even at room temperature, since the image is formed by the nonequilibrium charge stored at deep traps in the space-charge region where a considerable recombination barrier is present. The signal relaxation after the exciting light switching-off was studied in four points of the sensor. The signal has been found to decrease at the same characteristic relaxation time but to differ considerably in absolute value at different points. This fact evidences that the sensor photosensitivity unhomogene-ity is caused by substantial variation of the trapping center concentration over the surface, the parameters defining the thermal emission probability being the same. Исследованы процессы релаксации неравновесного заряда в барьерной области неидеального гетероперехода. Сенсор на основе такого гетероперехода даже при комнатной температуре может достаточно долго хранить скрытое изображение, так как оно сформировано неравновесным зарядом, захваченным на глубокие ловушки в области пространственного заряда, где имеется значительный рекомбинационный барьер. Исследование релаксации сигнала после выключения возбуждающего света было выполнено в четырех точках сенсора. Установлено, что в разных точках сигнал убывает с одним и тем же характерным временем релаксации, однако сильно отличается по абсолютной величине. Это свидетельствует о том, что неоднородность сенсора по фоточувствительности вызвана существенным изменением вдоль поверхности концентрации ловушечных центров с одними и теми же параметрами, определяющими вероятность термического выброса. Досліджено процеси релаксації нерівноважного заряду в бар'єрній області неідеального гетероперехода. Сенсор на базі такого гетеропереходу навіть при кімнатній температурі може досить довго зберігати сховане зображення, тому що воно сформовано нерівновагимДокумент СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ТИПИЧНЫХ ФОТОМАТЕРИАЛОВ И ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ(Астропринт, 2008) Борщак, Віталій Анатолійович; Балабан, А. П.; Борщак, Виталий Анатольевич; Балабан, А. П.; Borshchak, Vitalii A.; Balaban, A. P.Проведено исследование фотоэлектрических характеристик элементов памяти на основе неидеального гетероперехода. Применение понятий сенситометрии к твердотельным элементам памяти позволило получить универсальное выражение для характеристической кривой сенсора, которое хорошо согласуется с экспериментальными данными и может быть использовано при исследовании сенситометрических характеристик подобных приборов. Сделан вывод о том, что сенсор на основе неидеального гетероперехода можно охарактеризовать с помощью классических сенситометрических характеристик, разработанных для фотографических материалов. Проведено дослідження фотоелектричних характеристик елементів пам’яті на основі неідеального гетеропереходу. Застосування понять сенситометрії до твердотільних елемент ів пам’яті дозволило одержати універсальний вираз для характеристичної кривої сенсора, який добре погоджується з експериментальними даними і може бути використаний при дослідженні сенситометричних характеристик подібних приладів. Зроблено висновок, що сенсор на основі неідеального гетеропереходу можна охарактеризувати за допомогою класичних сенситометричних характеристик, які розроблені для фотографічних матеріалів. The memory elements on the basis of nonideal heterojunction photoelectric characteristics have been researched. The sensitometry concepts application to the solid-state memory elements has allowed receiving universal expression for a sensor characteristic curve which coordinate well with the experimental data and can be used at similar devices sensitometric characteristics research. The conclusion that the sensor on the basis of nonideal heterojunction can be characterized with the help of classical sensitometric characteristics developed for photographic materials is made.